氮化鎵作為高轉(zhuǎn)換效率寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，基于氮化鎵功率器件開發(fā)的快充方案，使用高度集成的氮化鎵功率芯片，可以獲得精簡的外圍電路，僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關(guān)管即可組成一個(gè)方案，有效減少PCB板占板面積和降低主板溫度，有效提升功率密度，使得液晶TV獲得更輕薄的設(shè)計(jì)和更低的研發(fā)成本